2026/05/30 12:00:08
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複製連結需求演進：先救「速度牆」，才輪到「容量牆」
AI 晶片的演進史，本質上是一場「算力、傳輸速度與儲存容量」的拉鋸戰。在這場戰爭中，資源分配有著明確的先後順序：算力跑在最前面，接著卡在傳輸速度，最後才暴露出容量與成本的限制。
大約在 2010 年前後，業界就預見到 GPU 運算實力大幅提升後，傳統的記憶體（如 DDR 或 GDDR）傳輸頻寬和延遲將無法跟上，這就是俗稱的「速度牆」或「頻寬牆」。
為了不讓強大的晶片耗在原地等待資料，HBM（高頻寬記憶體）應運而生。
它採用記憶體顆粒垂直堆疊，並透過先進封裝貼在 GPU 旁邊，在 AI 熱潮爆發、生成式模型進入高強度訓練時，成功撐起了第一線的傳輸速度。然而，當速度瓶頸暫時獲得紓解後，模型參數與訓練資料集開始以百億、千億級的規模爆炸性成長。
這時，市場遭遇了第二個難關：HBM 雖然極快，但容量有限、價格昂貴且產能極度吃緊，這便浮現了「容量牆」與「成本牆」。在這樣的背景下，市場開始迫切需要一種具備「中階頻寬、超大容量、低成本」的緩衝方案，這正是 HBF（高頻寬快閃記憶體）登場的舞台。
簡單來說，兩者的發展軌跡是：
算力需求暴增 ->傳輸頻寬先撐不住->砸資源發展 HBM 救速度-> 模型體積繼續放大->容量與成本撐不住 ->HBF 順應誕生。
技術本質：DRAM 與 NAND 的大腦分工要理解 HBM 與 HBF 的差異，必須回到它們底層採用的儲存材料。
這兩者並非互相取代的競爭對手，而是特性互補的黃金組合。HBM（高頻寬記憶體）：底層是 DRAM。
它的特性是超低延遲、極高頻寬，且具備幾乎無限制的寫入耐久度。缺點則是容量密度低、造價高昂。
在 AI 運算中，它扮演「第一線戰鬥記憶體」的角色，專門放置頻繁變動、即時運算的核心資料。
HBF（高頻寬快閃記憶體）：底層是 3D NAND Flash。
它是將多層快閃記憶體顆粒進行垂直堆疊，並透過高密度封裝與高頻寬介面緊貼 AI 加速晶片。
它的優勢在於容量密度極高（可達 HBM 的 8 到 16 倍），且單位成本與功耗顯著降低；缺點則是讀寫延遲高於 DRAM，且寫入壽命有限。
因此，它無法承受訓練階段長時間的高頻率寫入壓力，而是適合扮演「大容量後備記憶體」的角色。
在實際應用中，未來的 AI 伺服器將走向階層式架構：由 HBM 負責承載最核心、高速的熱資料；
而 HBF 則發揮「容量王」的優勢，用來存放動輒幾百 GB 甚至 TB 級的模型權重與知識庫，特別適用於讀取頻率高、對延遲容忍度稍高的 AI 推論、向量資料庫與檢索增強生成（RAG）等場景。
產業標準與商業化時程兩者在產業生態的成熟度上，有著超過十年的世代差距。
HBM 的規格由國際標準組織主導，三大記憶體原廠（SK 海力士、三星、美光）早在 2010 年代就投入研發，其設計、封裝與測試生態系已經磨練了十多年，是目前市場上標準的常規武器。
相較之下，HBF 屬於新興勢力。它在 2024 年至 2025 年間由 SanDisk 正式提出並主導規格，隨後延攬了 HBM 龍頭 SK 海力士共同推進標準化。
HBF 借用了 HBM 發展成熟的垂直堆疊與貼近晶片的封裝概念，只是將內部儲存媒介換成了快閃記憶體。
在商業化進程上，主導陣營在 2026 年積極展開試產線布建（預計落腳日本），下半年將逐步釋出首批原型樣品。
整個技術要達到全面商業化量產並導入 AI 推論伺服器，預計需等到 2027 年至 2028 年。
供應鏈物理佈局與台灣潛在標的
隨着 HBF 架構逐步明朗，AI 伺服器的記憶體設計正從過去的「HBM + 傳統硬碟」進化為「HBM + HBF + 傳統硬碟」的三層架構。雖然 HBF 的核心晶片目前仍由外國原廠主導，但其高度依賴先進封裝與高階板材的物理結構，讓台灣既有的 AI 供應鏈出現了明確的延伸商機。
先進封裝與記憶體封測：
HBF 的多層堆疊與晶片互連技術與 HBM 相似，這讓既有打入 AI 封裝的廠商具備天然優勢。
台積電 (2330) 憑藉 CoWoS 與 SoIC 等高階 2.5D/3D 封裝平台，穩坐晶片與記憶體整合的核心；
全球封測龍頭 日月光投控 (3711) 在高階記憶體封裝布局深厚，被視為未來分散封測產能的優先選擇；
而 力成 (6239) 作為記憶體封測大廠，本身深度參與 DRAM 與 NAND 業務，已被市場專文評估為 HBF 趨勢下的潛在參與者。
載板與高階 PCB：
要承載這類緊鄰晶片的高頻寬模組，需要高層數、低翹曲的 ABF 載板。
載板大廠 欣興 (3037) 由於已深度綁定既有的 AI 晶片平台，順理成章被點名為次世代儲存概念股；南電 (8046) 與 景碩 (3189) 同樣在 AI 加速卡與高速載板市場卡位，可望隨着新架構擴展而延伸需求。
在伺服器主板部分，金像電 (2368) 與 華通 (2313) 雖然不直接生產記憶體，但 AI 伺服器因應新架構帶來的板材升級與拉貨需求，將推動其高層板出貨量。
上游材料與控制 IC：
在高頻高速基材方面，CCL 廠商 台光電 (2383)、聯茂 (6213) 與 台燿 (6274) 供應符合高速傳輸要求的高階板材，隨着整體伺服器產值擴大而間接獲益；
最上游的玻纖布與銅箔廠如 台玻 (1802)、富喬 (1815) 及 金居 (8358) 則跟隨 ABF 載板的整體出貨潮波動。
值得注意的是，NAND 控制晶片大廠 群聯 (8299) 憑藉其在快閃記憶體控制層與韌體技術的累積，未來若 HBF 走向標準化產品，有機會切入關鍵的介面控制與智慧財產權（IP）授權環節。
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